TrendForce：三大内存原厂将于 20 层堆叠 HBM5 全面应用混合键合工艺

10 月 30 日消息，分析机构 TrendForce 集邦咨询表示，三大 HBM 内存巨头在对堆叠高度限制、I/O 密度、散热等要求的考量下，已确定于 HBM5 20hi（注：即 20 层堆叠）世代使用混合键合 Hybrid Bonding 技术。

该机构认为，在 HBM4、HBM4e 两代产品上 SK 海力士、三星电子、美光三家企业均会推出 12hi、16hi 版本以满足对不同容量的需求，其中 12hi 产品将继续使用现有的微凸块键合技术，16hi 产品技术路线尚未确定。

此外英伟达未来 AI GPU 将与 HBM5 内存以 3D 堆叠而非现有 2.5D 的形式集成。

机构表示，无凸块的混合键合技术可容纳较多堆叠层数，也能容纳较厚的晶粒厚度，以改善翘曲问题，能提升芯片传输速度，散热表现也更为优异，但还需克服微粒控制等技术问题。

在 HBM4(e)16hi 产品上是否采用混合键合是一个两难问题：提前导入混合键合固然可及早经历新堆叠技术的学习曲线，确保 HBM5 20Hi 顺利量产，但也意味着额外的设备投资，此前在微凸块键合上积累的技术优势也将部分损失。

混合键合需以 WoW（晶圆对晶圆）模式堆叠，不仅对前端生产良率提出了更高要求，也意味着第一层（也是每一层）DRAM 芯片的尺寸需与底部 Base Die 相同。

而 HBM 内存的 Base Die 正走向外部化、定制化，台积电等同时具备先进 Base Die 生产与 WoW 堆叠能力的企业有望更深程度参与 HBM 生产，从而改变 HBM + 先进封装链条的商业模式。